首先給出了陽離子交換膜濃差極化物理模型,然后利用該模型分析了電滲析設(shè)備制備硅溶膠過程中Um-J曲線的特性,闡明了利用Um-J曲線確定濃差極化電流密度的理論依據(jù),闡述了Um-J曲線上兩個拐點(diǎn)的理化本質(zhì),其中的拐點(diǎn)2所對應(yīng)的電流密度是在該實(shí)驗(yàn)條件下(XSio2=4%,θ=50℃,cNa+=0.118 9 mol·L-1)的極限電流密度,并根據(jù)Jlim和cNa+的關(guān)系,計(jì)算出電滲析設(shè)備制備硅溶膠過程中的膜邊界層厚度δ為7.68×10-6m,同時(shí)得出了電滲析設(shè)備應(yīng)在極限電流密度下運(yùn)行這一結(jié)論.