采用雙高純水設(shè)備(EDI-BP)處理低濃度模擬含鎳廢水，研究了Ni(OH)2沉淀產(chǎn)生的原因及消除措施。結(jié)果表明：高純水設(shè)備沿膜器高度的電流密度分布不均勻；濃水室靠近產(chǎn)水出水端陰膜面產(chǎn)生的Ni(OH)2 沉淀由于局部Ni2+、OH?離子濃度過高造成。*脫鹽室進(jìn)水端陽(yáng)膜面產(chǎn)生的Ni(OH)2沉淀由水解離造成。采用降低原水pH、濃水pH等措施能夠有效地避免沉淀的產(chǎn)生；在原水Ni2+濃度30 mg/L、流速0.317 cm/s、pH值2.77，濃水pH 1.18和電流密度9.5 mA/cm2的條件下進(jìn)行濃縮試驗(yàn)，高純水設(shè)備試驗(yàn)穩(wěn)定運(yùn)行285 h，得到的產(chǎn)水電導(dǎo)率約為1.5μS/cm，產(chǎn)水中未檢測(cè)出Ni2+離子，濃水中Ni2+濃度可達(dá)2.7 g/L，濃縮倍數(shù)達(dá)90倍。